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EMC浪涌測試及浪涌防護(hù)元器件使用

更新時(shí)間:2024-07-24      點(diǎn)擊次數(shù):161

浪涌測試原理
測試波形介紹
耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇
測試波形介紹
1. 2/50uS(8/20uS) 組合波介紹:
開路電壓波形參數(shù)(1. 2/50uS):

1.2 50us開路電壓波形參數(shù)

短路電流波形參數(shù)(8/20uS) :

短路電流波形參數(shù)(8/20uS)

 10/700uS(5/320uS) 波形介紹:
1、開路電壓波形為10/700uS;

開路電壓波形為10/700uS

2、短路電流波形參數(shù)(5/320uS) :

短路電流波形參數(shù)(5/320uS)

• 浪涌測試波形的應(yīng)用場景(對于CE認(rèn)證)
1、電源端口采用1. 2/50uS(8/20uS) 組合波;
2、網(wǎng)口采用10/700uS(5/320uS) 組合波進(jìn)行試驗(yàn);
3、試驗(yàn)前需對電纜類型、 是否存在電源供電、 是否屏蔽等進(jìn)行說明; (以便選擇耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)CDN) ;
耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇
• 耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇
1、 對于交直流電源線端口
用于交/直流電源線的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)
電壓和電流的波前時(shí)間和半峰值時(shí)間應(yīng)分別在開路情況下和短路情況下,在耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的EUT端口驗(yàn)證。30%的下沖僅適用于發(fā)生器的輸出端。在耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的輸出端,對下沖或過沖沒有限制。發(fā)生器的輸出或其耦合網(wǎng)絡(luò)應(yīng)與有足夠帶寬和電壓量程的測量系統(tǒng)連接,以便監(jiān)視開路電壓波形。
對于線-線耦合,浪涌應(yīng)通過18μF電容耦合,如圖7和圖9所示。



交/直流電源端口電容耦合試驗(yàn)配置

對于線-地耦合,浪涌應(yīng)通過9μF電容串聯(lián)10Ω電阻耦合,如圖8和圖10所示。
交/直流電源端口電容耦合試驗(yàn)配置(差模)

交/直流電源線的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)差模
 

交/直流電源端口電容耦合試驗(yàn)配置(共模)

交/直流電源端口電容耦合試驗(yàn)配置(共模)

浪涌防護(hù)元器件使用
浪涌防護(hù)原理
1、 泄放;(典型應(yīng)用端口:電源口)
2、 隔離;(典型應(yīng)用端口:網(wǎng)口)
浪涌保護(hù)器的型號、 原理介紹
1、 氣體放電管(GDT) 的參數(shù)與應(yīng)用

氣體放電管(GDT) 的參數(shù)與應(yīng)用

1. 1主要技術(shù)參數(shù)
 a、 直流放電電壓
在上升陡度低于100V/s的電壓作用下, 放電管開始放電的平均電壓值稱為其直流放電電壓。 由于放電的分散性, 所以, 直流放電電壓是一個(gè)數(shù)值范圍。 選擇時(shí)應(yīng)大于電路工作電壓120%;
 b、沖擊放電電壓
在具有規(guī)定上升陡度的暫態(tài)電壓脈沖作用下,放電管開始放電的電壓值稱為其沖擊放電電壓。放電管的響應(yīng)時(shí)間或動作時(shí)延與電壓脈沖的上升陡度有關(guān), 對于不同的上升陡度, 放電管的沖擊放電電壓是不同的 。
 C、沖擊耐受電流
將放電管通過規(guī)定波形和規(guī)定次數(shù)的脈沖電流, 使其直流放電電壓和絕緣電阻不會發(fā)生明顯變化的最大值電流峰值稱為管子的沖擊耐受電流。
d、 其他參數(shù)
1. 2 氣體放電管的優(yōu)缺點(diǎn)及其應(yīng)用
a 、優(yōu)點(diǎn):
極間絕緣電阻大
極間電容小
 泄放暫態(tài)過電流能力強(qiáng)
b 、缺點(diǎn):
時(shí)延—導(dǎo)致殘壓大
 續(xù)流—導(dǎo)致無法直接應(yīng)用于大部分電壓端口
 C 、應(yīng)用:
用于浪涌防護(hù)最前級;
單獨(dú)用于共模防護(hù);
 與其他防護(hù)器件串聯(lián)應(yīng)用;
2、壓敏電阻(MOV) 的參數(shù)與應(yīng)用
2. 1 壓敏電阻的主要參數(shù)
a 、標(biāo)稱壓敏電壓(V) :
通過規(guī)定持續(xù)時(shí)間的脈沖電流(一般為1mA 持續(xù)時(shí)間一般小于400mS) 時(shí)壓敏電阻器兩端的電壓值
b 、殘壓
在壓敏電阻能承受的最大脈沖峰值電流Ip及規(guī)定波形下壓敏電阻兩端電壓峰值。
 c 、殘壓比
殘壓比則是殘壓與標(biāo)稱電壓之比。 (一般約為1. 8~2. 2)
d 、通流容量
通流容量也稱通流量, 是指在規(guī)定的條件(規(guī)定的時(shí)間間隔和次數(shù), 施加標(biāo)準(zhǔn)的沖擊電流)下, 允許通過壓敏電阻器上的最大脈沖(峰值)電流值。
其他
1. 2 壓敏電阻的優(yōu)缺點(diǎn)及其應(yīng)用
a 、優(yōu)點(diǎn):
通流容量大
動作響應(yīng)快
無續(xù)流
 b 、缺點(diǎn)
極間電容大
TVS大家都有用過, TSS較GDT克服了動作時(shí)間慢的
浪涌防護(hù)器件小結(jié)
1、 GDT、 TSS同為開關(guān)型器件, 均存在續(xù)流問題;
2、 MOV、 TVS同為鉗位型器件, 客服了續(xù)流問題, 但通流量較開關(guān)型器件要小;
3、 GDT動作時(shí)間為uS級, MOV動作時(shí)間為nS級均較慢;TSS、 TVS客服了動作時(shí)間, 為nS級器件;
4、 MOV(使用次數(shù)限制) 的失效模式以短路為主,
所以在應(yīng)用回流中需加入短路保護(hù)型器件;
5、 以上浪涌保護(hù)器件均為過壓型保護(hù)器件, 過流型
浪涌防護(hù)設(shè)計(jì)介紹
• 浪涌防護(hù)設(shè)計(jì)介紹
1、 “標(biāo)準(zhǔn)" 資料, GBT 17626. 5, ITU K系列建議,主要對波形參數(shù)、 內(nèi)阻、 耦合方式進(jìn)行了解;
2、 “測試" 技術(shù)了解, 主要對差、 共模, 正、 負(fù)極性等情況下的“回流路徑" 進(jìn)行了解;
3、 根據(jù)不同的試驗(yàn)等級, 結(jié)合實(shí)際電路進(jìn)行浪涌防護(hù)方式(泄放或隔離或結(jié)合) 、 元器件等的選擇;
4、 根據(jù)浪涌進(jìn)入PCB區(qū)域電壓高低、 電流大小、 所通過的路徑進(jìn)合理的間距、 線寬、 PCB布局、 布線設(shè)計(jì);

推薦型號:

雷擊/浪涌發(fā)生器

CWG 520: 3x400V / 16A

CWG 1500: 1.2/50 μs_8/20μs / 4.4kV

CWG 2500: 1.2/50 μs_8/20μs / 4.4kV / 觸摸屏

Schl?der施羅德授權(quán)代理商:蘇州威銳科電子有限公司

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