試驗(yàn)?zāi)康氖牵?/strong>

模擬0.1~400MHz頻率范圍的干擾源，通過(guò)電流注入探頭將電流直接感應(yīng)到連接線(xiàn)束進(jìn)行抗擾度試驗(yàn)的一種方法。

結(jié)果判定：

未明確規(guī)定，被測(cè)試設(shè)備DUT線(xiàn)纜穿過(guò)耦合探頭的鉗子，改變感應(yīng)信號(hào)頻率具體參考TL 82166_2009.05 Section6.1 Page9（Table2，F(xiàn)igure3）強(qiáng)度、頻段、等級(jí);觀察產(chǎn)品試驗(yàn)后是否能繼續(xù)正常工作來(lái)證實(shí)；

標(biāo)準(zhǔn)原文理解：（ 一）測(cè)試嚴(yán)酷等級(jí)、二）測(cè)試所需設(shè)備、三）測(cè)試布置、四）測(cè)試步驟。）

一）測(cè)試嚴(yán)酷等級(jí)

大電流注入法（BCI， buck current injection）典型的 BCI 適用頻率范圍為 1~400MHz。

其中 BCI 是通過(guò)電流注入鉗將電流注入線(xiàn)束， 電流注入鉗相當(dāng)于是一個(gè)變壓器， 而線(xiàn)束充當(dāng)其二次繞組。

推薦測(cè)試嚴(yán)酷定級(jí)列舉如下：

二）測(cè)試設(shè)備

2.1） BCI 測(cè)試設(shè)備：

（1) 通用

通用設(shè)備包括： 接地平面、 電流注入鉗、 電流監(jiān)測(cè)鉗、 人工網(wǎng)絡(luò)、 射頻發(fā)生器、 功率放大器、 測(cè)量正向功率及反射功率的設(shè)備、 電流測(cè)量設(shè)備。

（2） 電流注入鉗及電流監(jiān)測(cè)鉗

電流注入鉗及電流監(jiān)測(cè)鉗需要具備在超出規(guī)定測(cè)量頻率范圍及功率范圍工作的能力。

（3） DUT 的激勵(lì)及監(jiān)控設(shè)備

這些設(shè)備需盡量采用電磁特征小的材質(zhì)， 連接設(shè)備及傳感器的導(dǎo)線(xiàn)盡量采用光纖， 而導(dǎo)線(xiàn)的方向、 長(zhǎng)度及放置也需盡量減小對(duì)測(cè)試的影響。

三） 測(cè)試布置

3.1） 接地平面

1) 厚度不小于 0. 5mm；2) 材質(zhì)為銅制、 黃銅材質(zhì)或鍍鋅鋼制；  3) 最小寬度為 1000mm；  4) 最小長(zhǎng)度：a) 規(guī)定功率限值的閉環(huán) BCI 測(cè)試時(shí)為 1500mm；b) 其他方法為 2000mm 或；c) 比以整個(gè)系統(tǒng)尺寸為基礎(chǔ)向外擴(kuò) 200mm；  5) 接地平面需要與墻壁或屏蔽室的底板綁定以保證其直流阻抗不超過(guò) 2. 5m?， 兩接地母線(xiàn)間距不得超過(guò) 300mm， 接地母線(xiàn)的最大長(zhǎng)寬比為 7: 1。

3.2）電源及人工網(wǎng)絡(luò)（AN）

1) 每個(gè)待測(cè)樣品與其電源直接均需通過(guò) AN（5uH/50?， 如圖 3 所示） 連接

2) AN 的數(shù)量取決于 DUT 在汽車(chē)上的安裝方式(如圖 4 所示) ：

a) 如果汽車(chē)電源回流線(xiàn)超過(guò) 200mm（遠(yuǎn)地）， 則布置 2 個(gè) AN， 一個(gè)連在電源正極線(xiàn)， 一個(gè)連在回流線(xiàn)上；

b) 如果汽車(chē)電源回流線(xiàn)小于 200mm（近地）， 則布置 1 個(gè) AN， 連在電源正極線(xiàn)上。

3) AN 直接放置在接地平面上， 其外殼需與接地平面綁定

4) 電源回流線(xiàn)需與接地平面相連

5) AN 的測(cè)試端口阻抗應(yīng)為 50?

3.3）待測(cè)樣品 DUT 放置：

1) 樣品需放置在一個(gè)（50±5） mm 厚（如圖 1b 中(2) 所示） 的低介電常熟絕緣支撐塊上

2) 樣品距接地平面的邊緣距離為 100mm（如圖 1a 中(3) 所示）

3) DUT 距離金屬部件如屏蔽室的墻壁不低于 500mm， 除非 DUT 放置在接地平面上

3.4）線(xiàn)束長(zhǎng)度及擺放

1) 除非有其他規(guī)定， 連接 DUT 與負(fù)載模擬器的線(xiàn)束長(zhǎng)度應(yīng)為：

非功率限值的閉環(huán) BCI 測(cè)試法：1700(+300/-0) mm， 此時(shí)線(xiàn)束徑直最少 1400mm

功率限值的閉環(huán) BCI 測(cè)試法：1000(+200/-0) mm， 此時(shí)線(xiàn)束全部徑直？？？

2) 線(xiàn)束型號(hào)選定需基于實(shí)際應(yīng)用和要求

3) 線(xiàn)束需要穿過(guò)電流注入鉗、 電流監(jiān)測(cè)鉗及管波耦合器。負(fù)載模擬器內(nèi)的線(xiàn)束需固定好， 且要較整個(gè)線(xiàn)束長(zhǎng)度小

4) 線(xiàn)束應(yīng)放置在一個(gè)（50±5） mm 厚（如圖 1b 中(2) 所示） 的低介電常熟絕緣支撐塊上， 絕緣塊放置在接地平面上

5) 如果是帶有多條線(xiàn)束分支的 DUT， 則探頭內(nèi)的線(xiàn)束分支與未在探頭內(nèi)的線(xiàn)束分支間距最少為 100mm

3.5） 負(fù)載模擬器放置：

1) 負(fù)載模擬器可直接放置在接地平面上， 此時(shí)其直流電源線(xiàn)應(yīng)通過(guò) AN 連接；且當(dāng)其外殼為金屬外殼時(shí)外殼應(yīng)與接地平面相連；

2) 負(fù)載模擬器也可以不直接放置在接地平面上， 而是放置接地平面的相鄰位置， 此時(shí)其外殼需與接地平面相連；甚至放置在屏蔽室外， 此時(shí)需要通過(guò)線(xiàn)束接地。

3.6）線(xiàn)束激勵(lì)源放置

1) BCI 測(cè)試法：

a) 替換法（如圖 5）

電流注入鉗與 DUT 的距離為（150±50） mm， 其他可選距離為（450±50） mm，（750±50） mm

如需放置電流監(jiān)控鉗， 其距 DUT 的距離為（50±10） mm

b) 規(guī)定功率限值的閉環(huán)法（如圖 6）

1 電源

2 AN 人工網(wǎng)絡(luò)

3 負(fù)載模擬器

4 待測(cè)樣品 DUT

5 接地平面

6 測(cè)試線(xiàn)束

7 絕緣支撐塊

8 樣品外殼

9 50? 負(fù)載

10 電源回流線(xiàn)

電流注入鉗與 DUT 的距離為（900±10） mm

電流監(jiān)控鉗與 DUT 的距離為（50±10） mm

四）測(cè)試步驟：

（4.1）通用要求

1) 諸如干擾源、 連接線(xiàn)束等代表標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件的常規(guī)安排， 任何超出標(biāo)準(zhǔn)方位如線(xiàn)束長(zhǎng)度等需要在測(cè)試前達(dá)成協(xié)議并記錄在測(cè)試報(bào)告中。

2) DUT 需設(shè)置工作在典型的負(fù)載或其他車(chē)載條件下， 這些工作條件需在測(cè)試計(jì)劃中清晰的定義以保證供應(yīng)商及客戶(hù)運(yùn)行一致的測(cè)試

（4.2）測(cè)試計(jì)劃：

1) 測(cè)試開(kāi)始前， 測(cè)試計(jì)劃需先一步制定好， 內(nèi)容包含如下：

1. 測(cè)試布置

2. 測(cè)試方法

3. 頻率范圍

4. DUT 工作模式

5. DUT 接收準(zhǔn)則

6. 測(cè)試嚴(yán)酷等級(jí)

7. DUT 監(jiān)控條件

8. 探頭位置

9. 多支線(xiàn)或多連接器的電流注入條件

10. 測(cè)試報(bào)告內(nèi)容

11. 負(fù)載模擬器

12. 區(qū)別于標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試的特殊說(shuō)明或變化

2) 每個(gè) DUT 都需要在基于最能體現(xiàn)道路安全及可用性的工作模式下進(jìn)行測(cè)試， 即待機(jī)

模式及所有制動(dòng)模式全被激活模式

（4.3）測(cè)試方法：

1) BCI 測(cè)試法

a) 替換法：

（i）校準(zhǔn)

規(guī)定的測(cè)試等級(jí)需要定期校準(zhǔn)， 校準(zhǔn)是通過(guò)記錄將測(cè)試中所需的正向發(fā)射功率加載在一個(gè) 50? 校準(zhǔn)裝置（如圖 8） 上所產(chǎn)生的電流來(lái)完成， 這個(gè)過(guò)程中的頻率步長(zhǎng)不得超過(guò) ISO11452-1 中定義的最大頻率步長(zhǎng)。

針對(duì)更小的測(cè)試頻率步長(zhǎng)， 校準(zhǔn)頻率中可以允許不大于 0. 5dB 的調(diào)整。

校準(zhǔn)需用未調(diào)制的正弦射頻信號(hào)進(jìn)行。

在有要求的情況下， 校準(zhǔn)文件中的正向功率值及反射功率值需在測(cè)試報(bào)告中體現(xiàn)。

校準(zhǔn)裝置的一端需連接一個(gè)高功率的 50Ω 負(fù)載， 另一端連接一個(gè) 50Ω的射頻功率測(cè)量裝置， 同時(shí)用一個(gè)足夠功率裕量的 50Ω 衰減器進(jìn)行保護(hù)（如圖 9）

ii）DUT 測(cè)試

DUT、 線(xiàn)束及相關(guān)設(shè)備如圖 5 布置。按照測(cè)試嚴(yán)酷等級(jí)定義的功率值注入經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)的激勵(lì)信號(hào)進(jìn)行測(cè)試。

如果有多條線(xiàn)纜分支時(shí)， 需對(duì)每條分支分別進(jìn)行注入。

如需要可以加入電流監(jiān)控探頭， 可以提供一些有益的測(cè)試信息來(lái)協(xié)助對(duì) DUT 的測(cè)試表現(xiàn)進(jìn)行評(píng)估。

 b) 規(guī)定功率限值的閉環(huán)測(cè)試法：

[i] 校準(zhǔn)

規(guī)定的測(cè)試等級(jí)需要定期校準(zhǔn)， 校準(zhǔn)是通過(guò)記錄將測(cè)試中所需的正向發(fā)射功率加載在一個(gè) 50?校準(zhǔn)裝置（如圖 8） 上所產(chǎn)生的電流來(lái)完成， 每個(gè)頻率點(diǎn)都要進(jìn)行測(cè)試。

校準(zhǔn)需用未調(diào)制的正弦射頻信號(hào)進(jìn)行。

在有要求的情況下， 校準(zhǔn)文件中的正向功率值及反射功率值需在測(cè)試報(bào)告中體現(xiàn)。

校準(zhǔn)裝置的一端需連接一個(gè)高功率的 50Ω 負(fù)載， 另一端連接一個(gè) 50Ω的射頻功率測(cè)量裝置， 同時(shí)用一個(gè)足夠功率裕量的 50Ω 衰減器進(jìn)行保護(hù)（如圖9）

注入校準(zhǔn)裝置的當(dāng)前測(cè)試信號(hào)及相應(yīng)的正向功率（ P 校準(zhǔn) ）需要進(jìn)行記錄：

PCW限值 = k*P校準(zhǔn)

其中， PCW限值 是功率限值， P校準(zhǔn) 是校準(zhǔn)裝置中達(dá)到當(dāng)前測(cè)試信號(hào)等級(jí)的正向功率， k 是等于 4 的常數(shù)（除非測(cè)試計(jì)劃中有特殊規(guī)定）

[ii] DUT 測(cè)試

DUT、 線(xiàn)束及相關(guān)設(shè)備如圖 6 進(jìn)行布置。

測(cè)試過(guò)程按照含有功率限值（ PCW限值 ） 的閉環(huán)方法進(jìn)行， 各頻率點(diǎn)的步驟如下所述。

增加電流注入鉗注入的正向功率， 同事測(cè)試注入的電流， 直到：

1. 注入電流達(dá)到要求的等級(jí)

2. 或者正向功率達(dá)到功率限值 PCW限值

當(dāng)發(fā)現(xiàn)了 DUT 敏感限值， 記下相應(yīng)的故障電流 Ifault 及正向功率 Pfault.如果有多條線(xiàn)纜分支時(shí)， 需對(duì)每條分支分別進(jìn)行注入和測(cè)試。

推薦產(chǎn)品配置：